Nd: YVO4(Ndドープバナジウム酸イットリウム) – レーザー結晶 – カスタマイズされた製品
Nd: YVO4 結晶製品は、ネオジムドープガドリニウムバナジン酸結晶としても知られ、半導体励起固体レーザーの製造に優れた総合性能を備えたレーザー結晶製品です。Nd:YVO4結晶は、機械、材料加工、分光法、ウェハーテスト、ディスプレイ、医療検査、レーザー印刷、データストレージなどの多くの分野で広く使用されています。この製品は、良好な熱伝導率、大きな誘導放出クロスという特徴を備えています。セクション、高いレーザー損傷閾値、吸収帯域幅、約 808nm の吸収ピーク。これらの利点により、小さな結晶を使用してより小さなレーザーデバイスを製造することができます。Nd:YVO4 結晶のもう 1 つの特徴は、一軸性であるため、直線偏光を放射することです。周波数倍増クリスタルと組み合わせると、緑色のすべての固体レーザーが、青と赤の波長を実現できます。現在、Nd:YVO4 レーザーは、機械、材料加工、分光法、チップ検査、ディスプレイ、医療検査、レーザー印刷、データ保存などの多くの分野で広く使用されています。Nd:YVO4 ダイオード励起固体レーザーは、特に小型化と単一縦方向アナログ出力の点で、市場で従来の水冷イオン レーザーやランプ励起レーザーに急速に取って代わりつつあります。レーザー ダイオード励起全固体 (DPSS) マイクロ レーザー、ライダー、およびリモート センシング衛星製品で使用できます。YVO4 ダイオード励起固体レーザーは、特に小型化と単一縦方向アナログ出力の点で、市場で従来の水冷イオン レーザーやランプ励起レーザーに急速に取って代わりつつあります。レーザー ダイオード励起全固体 (DPSS) マイクロ レーザー、ライダー、およびリモート センシング衛星製品で使用できます。YVO4 ダイオード励起固体レーザーは、特に小型化と単一縦方向アナログ出力の点で、市場で従来の水冷イオン レーザーやランプ励起レーザーに急速に取って代わりつつあります。レーザー ダイオード励起全固体 (DPSS) マイクロ レーザー、ライダー、およびリモート センシング衛星製品で使用できます。
特徴
一軸性結晶
帯域幅を吸収する
高いダメージ閾値
高い吸収係数
高い吸収係数
誘導放射線断面積
優れた物理的および光学的特性
注記：
10,000円は内金であり、商品の最終価格ではございません。 必要な場合は価格をお問い合わせください。
材質仕様
| 材料 | Nd: YVO4 |
| 許容濃度（atm％） | 0.5%、1.1%、2.0%、3.0% |
| オリエンテーション | AカットまたはCカット |
| 平行度 | 20〞 |
| 垂直 | 5〞 |
| 表面仕上げ | MIL-O-13830 B に準拠した 10/5 の傷/凹み |
| 波面の歪み | <λ/8 @633nm |
| 表面平坦度 | λ/10@633nm |
| クリアアパーチャ | >90% |
| 面取り | ≤0.2mm@450 |
| サイズ許容差 | (W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.2/-0.1mm) (L<2.5mm) |
| (W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.5/-0.1mm) (L≧2.5mm) | |
| 角度許容差 | ≤0.5° |
| 損傷閾値[GW / cm 2 ] | >1 1064nm、TEM 00、10ns、10Hz (AR コーティング) |
| コーティング | HR@1064nm+532nm+HT@808nm/AR@1064nm+532nm |
物理的及び化学的性質
| 結晶構造 | ジルコン四辺形、スペースグループD4h-I4 / amd |
| 格子定数 | a=b=7.12、c=6.29 |
| 密度 | 4.22g/ cm3 |
| 融点 | 1825年 |
| 熱伝導率/（W・m -1・K -1 @ 25℃） | 5.2 |
| 熱光学係数 | dn o /dT=8.5×10 -6 /K; dn e /dT=2.9×10 -6 /K |
| 熱膨張率/（10 -6・K -1 @ 25℃） | a = 4.43、c = 11.4 |
| モース硬度 | 4～5 |
光学特性とスペクトル特性
| レーザー波長 | 1064nm、1342nm |
| 偏光レーザーの発光 | π偏光。光軸（c軸）に平行 |
| ポンプ波長 | 808nm |
| 固有の損失 | 0.02cm -1 @1064nm |
| ダイオードによる光から光への効率のポンピング | >60% |
| 放射断面積 | 25×10 -19 cm 2 @1064nm |
| 蛍光寿命 | 90 μs (2 atm % Nd ドーピングの場合は約 50 μs) @ 808 nm |
| ゲイン帯域幅 | 0.96nm @1064nm |
| 屈折率 | 1.9573(いいえ); 2.1652(ne) @1064nm |
| 1.9721(いいえ); 2.1858(ne) @808nm | |
| 2.0210(いいえ); 2.2560(ne) @532nm | |
| 吸収係数 | 31.4 cm-1 @ 808 nm |
| Absorption Length | 0.32 mm @ 808 nm |
| Gain Bandwidth | 0.96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
吸収スペクトルと発光スペクトル
